SK海力士近日正式披露一項總額高達1,100兆韓元的韓國本土投資藍圖，核心目標是在AI驅動的存儲需求爆發前，搶先構築從NAND閃存到高帶寬內存（HBM）的全鏈條產能壁壘。

根據規劃，清州園區將獲得額外100兆韓元注資，用於新建一座3D NAND晶圓廠M17和一座HBM後段封測廠P T7。M17投資約80兆韓元，預計明年動工、最快2029年投產；P T7則投入約20兆韓元。目前清州已擁有M11、M12、M15等NAND產線，而隨著高層數3D NAND與HBM堆疊在封裝技術上趨同，該園區正從單純的NAND基地轉型為HBM封裝重鎮——M15X已負責DRAM晶粒生產，P T3則承擔HBM封裝任務。

真正令市場側目的是龍仁半導體聚落。SK海力士計劃在此砸下約3,893億美元，將其打造為全球最大的DRAM生產基地。首座晶圓廠將於2027年5月投產，後續三座廠將依次推進，全部四座廠的建設完工時間從原定的2045年大幅提前至2033年。這意味著從2028至2029年起，龍仁新增產能就將對全球存儲市場產生實質性影響。

此外，SK海力士還預留了400兆韓元用於建設全新的西南部半導體聚落，目前選址尚未確定。公司坦言，從選址到基礎設施配套，一座新聚落的孵化週期長達九年左右，因此必須提前啟動。

這一系列動作並非孤例。韓國另一存儲巨頭三星近期也宣佈，將在忠清道地區投資約140兆韓元，涵蓋OLED產線擴建、五條HBM新產線建設、HBM設施升級以及AI服務器封裝基板產能擴充。兩大韓廠同步加碼本土產能，反映出在AI算力競賽背景下，存儲芯片的戰略地位正被重新定價。

從產業鏈視角看，SK海力士此次投資有幾點值得關注。其一，HBM封裝能力被置於與晶圓製造同等重要的位置，清州P T7的設立表明公司正將先進封裝內化為核心競爭力，而非外包環節。其二，龍仁項目的時間表大幅提前，折射出下游AI芯片客戶對DRAM產能的迫切需求——尤其是HBM3E及後續世代產品，目前仍處於供不應求狀態。其三，西南部新聚落的規劃顯示，SK海力士的投資視野已超越當前週期，瞄準的是未來十年甚至更長的需求增長。

對整個AI產業鏈而言，存儲產能的擴張節奏將直接影響GPU等算力芯片的出貨能力與成本結構。若龍仁與清州產能如期落地，有望緩解HBM供應緊張局面，但建設期的資本開支強度也將考驗公司的財務彈性。