專注於內存芯片的Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）在6月5日經歷了一場血洗，單日暴跌15%，收盤價為55.79美元。從6月3日到5日的兩個交易日內，該基金累計下跌了20%，市值從69.71美元迅速蒸發。這意味著，如果投資者在週三開盤時持有價值1萬美元的該基金，到週五收盤時僅剩約8000美元。
這場暴跌的烈度，與其高度集中的持倉結構密不可分。DRAM幾乎是市場上唯一的純內存主題ETF，其前三大持倉——三星電子、SK海力士和美光科技——合計權重高達73.04%。這種結構意味著，當內存行業的風向轉變時，該基金沒有任何其他行業的資產可以作為緩衝。
雙重打擊：業績指引失準與宏觀數據過熱
此次拋售是兩股力量疊加的結果。第一擊來自週三，博通公司給出的下一財季AI半導體收入指引為160億美元，低於市場預期的172億美元。其CEO Hock Tan在電話會上表示，谷歌等大客戶可能會採用多家芯片供應商。博通自身並非DRAM的持倉股，但這一消息對內存市場產生了直接且深遠的傳導效應。
市場解讀為，如果AI基礎設施領域最激進的大客戶之一都在尋求降低物料成本，那麼一直支撐內存價格，尤其是HBM（高帶寬內存）價格在2026年走強的定價權可能開始動搖。緊接著，週五公佈的美國5月非農就業數據新增17.2萬人，遠超8萬人的預期，導致2年期和10年期國債收益率跳升。火熱的就業數據重燃了市場對美聯儲可能加息而非降息的擔憂，這對依賴長期、平穩AI投資敘事來支撐高估值的半導體股票構成了沉重打擊。
個股集體重挫
在ETF暴跌的背後，是其主要成分股的集體潰敗。美光科技週五下跌13%，從996美元跌至864美元；閃迪下跌11%至1559美元；西部數據同樣下跌11%至512美元。SK海力士在韓國市場也下跌了約10%。當這些權重股均出現兩位數百分比的跌幅時，DRAM ETF暴跌15%幾乎是一個算術上的必然結果。
暴跌前的狂歡與定價邏輯
需要強調的是，這次暴跌發生在此前驚人的漲幅之後。即便在週五暴跌後，DRAM ETF在過去一年的漲幅仍高達101%。美光科技年初至今的漲幅為203%，過去一年漲幅更是達到715%。閃迪的漲幅則更為誇張，年初至今上漲了557%。
此前市場的看漲邏輯建立在美光科技CEO Sanjay Mehrotra持續講述的一個故事之上：HBM3e產品已售罄，訂單排至2027年，公司擁有了超越傳統內存週期性的結構性盈利能力。美光上一季度的亮眼財報——營收同比增長56.6%，GAAP毛利率從38.4%躍升至56.0%——正是這一敘事的佐證。市場相信HBM更像是一種定製化、合約化的產品，而非價格波動劇烈的普通大宗商品。
然而，正是這種信仰使得週五的下跌如此慘烈。一旦有可信的跡象表明AI資本支出正在分散到更多供應商，或者HBM的平均售價可能走軟，那麼基於“售罄至2027年”這一預期而買入的邊際買家便會迅速撤離，導致估值倍數被機械性地壓縮。
關鍵節點：6月24日美光財報
當前，所有目光都聚焦在6月24日。美光科技將於當日盤後公佈其2026財年第三季度財報。這份報告將為市場提供關於HBM合約價格在下半年的走勢、大型雲客戶訂單模式是否因博通的言論而發生變化，以及管理層對2027年前景展望的具體信息。屆時，市場將能驗證“售罄”的故事是否依然穩固。
此外，還有兩個信號同樣關鍵。一是三星的HBM3e產品能否通過英偉達的認證，這將直接改變Hock Tan所暗示的供應商份額格局。二是SK海力士對第三季度客戶交付計劃的評論，這是判斷多年期合約是否正在被重新談判或延期的最清晰指標。三星和SK海力士合計佔DRAM ETF近一半的權重，它們關於出貨量的任何言論，對ETF的影響都將超過任何美國宏觀經濟數據。
DRAM ETF的這次暴跌，精準地體現了其作為高度集中主題基金的特性：在HBM交易邏輯上行時，它充分捕捉了上漲收益；而當支撐該交易的兩大條件在同一周內同時受到質疑時，它也完整地承受了下跌的衝擊。6月24日的美光財報，將決定這次暴跌究竟是一次長期上漲趨勢中的短期修正，還是空頭們等待已久的、估值倍數收縮週期的開端。