長鑫儲存宣佈，其自主研發的LPDDR6記憶體晶片已實現量產商用，並首發搭載於小米18 Fold摺疊旗艦手機，成為全球範圍內LPDDR6產品首次在旗艦手機端落地商用。這一進展標誌著國產儲存廠商在最新一代低功耗記憶體技術上邁出關鍵一步。

據長鑫儲存介紹，此次量產的LPDDR6單顆粒容量為16Gb，封裝後晶片容量達16GB，遵循JEDEC LPDDR6標準，採用全新的1295 Ball FBGA封裝。該晶片最高傳輸速率可達12800Mbps，與SoC搭配速率為10667Mbps，可為SoC提供充裕的資料頻寬，滿足旗艦級智慧手機及高效能終端裝置對計算能力的嚴苛需求。

與上一代LPDDR5X（速率10667Mbps）相比，長鑫稱其LPDDR6頻寬提升60%，功耗降低20%。長鑫特別註明，效能對比源自內部測試資料，其中60%頻寬提升基於產品的峰值頻寬對比。功耗的降低有助於延長移動裝置的續航。

在技術層面，長鑫LPDDR6的研發涉及多項創新。設計上採用雙子通道架構，常規模式下配置24bit原生I/O，其高速介面支援每路訊號引腳獨立調校預加重（pre-emphasis）與訊號均衡（DFE）引數，配合智慧訓練機制，以保障高速傳輸下的訊號準確性與執行穩定性。能效管理方面，LPDDR6採用雙軌DVFS設計，提供硬體層面的電壓分離能力，並引入動態效率模式實現策略排程，使晶片在不同負載下保持最佳能效比。可靠性方面，在原有Link ECC、On Die ECC基礎上，新增每行啟用計數（PRAC）以防行錘攻擊，以及內建自測試（MBIST）等功能，以多重機制保障資料完整性與系統穩定性。

在工藝與封裝環節，長鑫通過工藝與設計的協同創新，針對CMOS區域的關鍵電路和設計規則LDR進行了超過100項深度最佳化，製造出尺寸更小、效能更優的CMOS電晶體。後道封裝採用1295 Ball的FBGA封裝，其焊球面積較LPDDR5的496 Ball大50%，製造難度相應提升。塑封環節使用高導熱型High K EMC（高導熱環氧塑封料）包覆晶片，可使顆粒熱阻下降約40%，改善高負載執行時的熱量匯出效率。

LPDDR6作為最新一代低功耗高速率記憶體，未來應用場景覆蓋手機、電腦、智慧汽車、邊緣伺服器、智慧穿戴裝置和機器人等領域。長鑫儲存表示，此次成功推出LPDDR6是公司在高階儲存自主研發中的重要里程碑，目前正加速商業化與規模化應用，並將攜手產業鏈夥伴推動LPDDR6在更廣泛智慧場景中落地。

從產業角度看，長鑫此次量產LPDDR6並率先在旗艦手機商用，對國產儲存產業鏈具有標誌性意義。此前高階移動記憶體市場主要由三星、SK海力士等國際廠商主導，長鑫的突破有望提升國產儲存的自給率，並可能對下游終端廠商的供應鏈多元化產生影響。同時，LPDDR6的高頻寬特性對端側AI推理、多工處理等場景至關重要，其低功耗優勢也契合移動裝置對續航的持續追求。不過，長鑫在高階市場的份額仍待觀察，後續產能爬坡與客戶拓展將是關鍵。