三星電子與SK海力士正在重新調整混合鍵合技術在高帶寬存儲器（HBM）領域的導入時間表，這一原本被視作下一代封裝關鍵的技術，其全面商用節點已明確後移。據韓國科技媒體ZDNet Korea週一援引業內觀察人士報道，兩家公司最初計劃最早在HBM4（第六代HBM）上採用混合鍵合，但最終仍沿用了傳統的熱壓鍵合（TC鍵合）方案。目前業界普遍預測，混合鍵合的導入將推遲至16層HBM4E（第七代HBM），部分人士甚至認為實際時間點可能進一步延後。

這一技術路線的變化，核心驅動力來自兩個層面。首先是HBM厚度標準正在逐步放寬。混合鍵合的一大優勢在於無需凸點結構，可直接連接各層DRAM的銅線，從而更易壓縮整體厚度並改善散熱與電源效率。然而，隨著堆疊層數從8層、12層向12層、16層攀升，HBM標準厚度在HBM3E時為720微米，到HBM4已上調至775微米。據悉，國際半導體標準化機構JEDEC目前正討論將HBM5等20層堆疊產品的厚度上限從900微米進一步放寬至約1000微米。厚度約束一旦鬆動，DRAM層間間距無需壓縮至極限，TC鍵合所承受的技術壓力也隨之減輕，混合鍵合在厚度壓縮上的緊迫性自然下降。

其次，散熱性能的改善曾是混合鍵合的另一大賣點，但三星電子與SK海力士已分別開發出不依賴該技術的替代方案。兩家公司的思路均為在HBM核心芯片旁額外集成獨立散熱器件——三星電子將其命名為熱路徑模塊（HPB），SK海力士則稱之為iHBM（ICE HBM），目前均在針對HBM5測試相關應用。封裝行業人士表示，在核心芯片旁配置散熱器件在技術上難度不大，商業化應不存在障礙，從存儲器公司角度來看，這是一個更穩定的選擇。

與此同時，下游核心客戶的需求節奏也在發生變化。一位內存行業人士透露，目前客戶與內存製造商之間關於16層HBM的討論並不活躍，即便在HBM4E中，12層產品也很有可能繼續佔據主導地位。英偉達等核心客戶對高堆疊HBM的需求時間表出現後移，進一步降低了短期內導入混合鍵合的迫切性。

這一技術推遲對HBM供應鏈及封裝設備廠商構成直接影響。混合鍵合導入的延後意味著現有TC鍵合工藝的生命週期得以延長，相關設備與材料供應商的現有產線價值將獲得支撐；而圍繞混合鍵合設備與材料的資本開支節奏則將隨之放緩，相關廠商需要重新評估研發投入與產能規劃的回報週期。

不過，混合鍵合技術並未被放棄，其長期驅動力依然存在。HBM4已將I/O數量從HBM3E的1024個翻倍至2048個，內部間距大幅收窄。TC鍵合在凸點熔化時會發生橫向擴散，被業界認為難以支撐更高密度的I/O實現。封裝行業人士指出，中長期來看，業界正在討論從HBM5E開始將I/O數量再度翻倍至4096個，屆時I/O間距極為緊密，混合鍵合將成為必要選項。這意味著該技術的真正商用窗口，或將隨HBM代際演進中I/O密度的臨界突破而重新打開。

對於AI產業而言，HBM作為GPU等AI芯片的關鍵存儲組件，其封裝技術路線直接影響存儲帶寬、功耗與芯片體積的演進節奏。混合鍵合導入的推遲，短期內緩解了供應鏈的技術切換壓力，但也意味著存儲性能的階躍式提升將相應延後，這可能在更長的時間維度上影響AI算力系統的整體效能提升曲線。