美光科技（Micron Technology）公布了一项规模庞大的美国本土投资计划，目标是在2035年前将累计投资总额提升至超过2500亿美元。

根据公司宣布的内容，这一投资计划的核心目标之一是显著提高美国本土的制造比重。美光明确提出，要将美国产能占其DRAM总产量的比例提升至40%。目前，美光的DRAM生产主要集中在中国台湾和日本等地，美国本土虽有位于弗吉尼亚州的工厂，但整体产出占比有限。

这项投资计划延续了美光近年来持续加码美国制造的策略。此前，在《芯片与科学法案》的激励下，美光已宣布在纽约州和爱达荷州建设先进存储芯片制造设施。此次公布的2500亿美元总额，涵盖了对既有设施的扩建和全新工厂的建设，时间跨度超过十年。

从产业角度看，存储芯片（尤其是DRAM）是AI服务器、数据中心和个人计算设备的关键组件。美光此举不仅是对美国半导体制造回流的响应，也反映出存储芯片厂商在全球供应链再平衡中的布局调整。将四成DRAM产能放在美国本土，意味着美光需要在美国建立起从晶圆制造到先进封装的完整链条，这对上游设备供应商和材料供应商将产生持续的拉动效应。

对于AI产业而言，存储芯片的供应安全与产能分布直接关系到算力基础设施的稳定性。美光加大美国本土投资，有助于分散地缘风险，但也需要关注其建设进度、成本控制以及全球存储芯片供需周期的变化。